Memoria ram samsung m425r2ga3eb0-cwm0d nb0x 16gb/ ddr5/ 5600mhz/ 1.1v/ cl46/ sodimm
328,90 €
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La memoria Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D está diseñada para ofrecer un rendimiento de nueva generación y una alta eficiencia energética en portátiles y sistemas compactos. Con 16GB de memoria DDR5, proporciona una experiencia fluida en multitarea y aplicaciones exigentes.
Gracias a su velocidad de 5600MHz, este módulo SO-DIMM mejora notablemente el ancho de banda y la capacidad de respuesta del sistema frente a generaciones anteriores. Su bajo voltaje de funcionamiento de 1.1V ayuda a reducir el consumo energético y la generación de calor.
La arquitectura Single Rank 1Rx8 y el cumplimiento de los estándares JEDEC garantizan una amplia compatibilidad y un funcionamiento estable a largo plazo. La latencia CL46 asegura un rendimiento equilibrado para uso profesional y cotidiano.
Fabricada en producción masiva bajo los estándares de calidad de Samsung, esta memoria DDR5 de 16GB es una opción fiable y duradera para ampliar portátiles y equipos de pequeño formato con total confianza.
| Especificación | Detalle |
|---|---|
| Capacidad | 16 GB (1 x 16 GB) |
| Tipo de memoria | DDR5 |
| Velocidad | 5600 MT/s |
| Clasificación PC | PC5-5600B |
| Latencia CAS | CL46 |
| Organización | 1R x16, Single Rank |
| Formato | SO-DIMM de 262 pines |
| Voltaje | 1,1 V |
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